IXFA3N80 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IXFA3N80
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:HiPerFET?
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):800V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):3.6A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.6 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):685pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):100W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:TO-263(IXFA)
- IXFA3N80优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。