- 制造厂商:IXYS
- 类别封装:场效应管模块,SOT-227B
- 技术参数:MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
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IXFN24N100 技术参数详情:
- IXYS公司完整型号:IXFN24N100
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
- 系列:HiPerFET?
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):24A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):390 毫欧 @ 12A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 8mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):267nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8700pF @ 25V
- 功率 - 最大值:568W
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:SOT-227B
- IXFN24N100优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。