产品参考图片
- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：场效应管模块，SOT-227B
- 技术参数：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
- 丰富的IXYS公司产品，IXYS芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IXFN36N100 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：IXFN36N100
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
- 系列：HiPerFET?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：36A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：380nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9200pF @ 25V
- 功率 - 最大值：700W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：SOT-227B
- IXFN36N100优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
