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IXYS
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  • 制造厂商:IXYS
  • 类别封装:场效应管模块,SOT-227B
  • 技术参数:MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
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IXFN36N100 技术参数详情:
  • IXYS公司完整型号:IXFN36N100
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):36A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):240 毫欧 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):380nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:700W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:SOT-227B
  • IXFN36N100优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
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