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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：单端场效应管，PLUS247-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
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IXFX26N90 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：IXFX26N90
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
- 系列：HiPerFET?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：900V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：26A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 13A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：240nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10800pF @ 25V
- 功率 - 最大值：560W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件封装：PLUS247-3
- IXFX26N90优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
