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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：IGBT 1200V 75A 400W TO3P
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IXGQ35N120BD1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXGQ35N120BD1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1200V 75A 400W TO3P
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：75A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.3V @ 15V，35A
- 功率-最大值：400W
- 开关能量：900μJ（开），3.8mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：140nC
- 25°C时Td（开/关）值：40ns/270ns
- 测试条件：960V，35A，3 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：40ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
- IXGQ35N120BD1优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
