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  • 制造厂商:IXYS
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
  • 技术参数:IGBT 600V 70A 190W TO268
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IXGT30N60C2 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IXGT30N60C2
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:IGBT 600V 70A 190W TO268
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:HiPerFAST?
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):70A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):150A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,24A
  • 功率-最大值:190W
  • 开关能量:290μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:70nC
  • 25°C时Td(开/关)值:13ns/70ns
  • 测试条件:400V,24A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
  • IXGT30N60C2优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
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