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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：单路IGBT，TO-268
- 技术参数：IGBT 1700V 75A 350W TO268
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IXGT32N170 T&R 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：IXGT32N170 T&R
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1700V 75A 350W TO268
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.3V @ 15V，32A
- 功率 - 最大值：350W
- Switching Energy：11mJ（关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：155nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：45ns/270ns
- Test Condition：1020V， 32A， 2.7 欧姆， 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：TO-268
- IXGT32N170 T&R优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
