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- 制造厂商:IXYS
- 类别封装:单路IGBT,TO-268
- 技术参数:IGBT 1700V 75A 350W TO268
- 丰富的IXYS公司产品,IXYS芯片采购平台
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IXGT32N170 T&R 技术参数详情:
- IXYS公司完整型号:IXGT32N170 T&R
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:IGBT 1700V 75A 350W TO268
- 系列:-
- IGBT 类型:NPT
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A
- Current - Collector Pulsed (Icm):200A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.3V @ 15V,32A
- 功率 - 最大值:350W
- Switching Energy:11mJ(关)
- 输入类型:标准
- Gate Charge:155nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:45ns/270ns
- Test Condition:1020V, 32A, 2.7 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 封装/外壳:TO-268-3,D3Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:TO-268
- IXGT32N170 T&R优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
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