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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
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IXGX82N120B3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXGX82N120B3
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：GenX3?
- 零件状态：有源
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：230A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：500A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，82A
- 功率-最大值：1250W
- 开关能量：5mJ（开），3.3mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：350nC
- 25°C时Td（开/关）值：30ns/210ns
- 测试条件：600V，80A，2 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- IXGX82N120B3优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
