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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：单端场效应管，TO-268
- 技术参数：MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
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IXKT70N60C5 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：IXKT70N60C5
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：68A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
- 功率 - 最大值：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA
- 供应商器件封装：TO-268
- IXKT70N60C5优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
