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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- 技术参数：IGBT 1200V 30A 150W TO268
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IXST15N120BD1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXST15N120BD1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1200V 30A 150W TO268
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，15A
- 功率-最大值：150W
- 开关能量：1.5mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：57nC
- 25°C时Td（开/关）值：30ns/148ns
- 测试条件：960V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：30ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
- IXST15N120BD1优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
