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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-263HV
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
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IXTA1R6N100D2HV 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXTA1R6N100D2HV
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1000V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Tj）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 800mA，0V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：645pF @ 10V
- FET功能：耗尽模式
- 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-263HV
- IXTA1R6N100D2HV优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
