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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：单端场效应管，TO-263
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
- 丰富的IXYS公司产品，IXYS芯片采购平台
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IXTA7N60P 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：IXTA7N60P
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
- 系列：PolarHV?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.1 欧姆 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 100μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1080pF @ 25V
- 功率 - 最大值：150W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：TO-263 （IXTA）
- IXTA7N60P优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
