- 制造厂商:IXYS
- 类别封装:单端场效应管,TO-263
- 技术参数:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263
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IXTA96P085TTRL 技术参数详情:
- IXYS公司完整型号:IXTA96P085TTRL
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:MOSFET P-CH 85V 96A TO-263
- 系列:TrenchP?
- FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):85V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):96A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):13 毫欧 @ 48A, 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13100pF @ 25V
- 功率 - 最大值:298W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263 (IXTA)
- IXTA96P085TTRL优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。