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- 制造厂商:IXYS
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220AB
- 技术参数:MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
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IXTP18P10T 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IXTP18P10T
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:TrenchP?
- 零件状态:有源
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 9A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):39nC @ 10V
- Vgs(最大值):±15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2100pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):83W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220AB
- IXTP18P10T优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
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