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  • 制造厂商:IXYS
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-247PLUS-HV
  • 技术参数:MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
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IXTX6N200P3HV 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IXTX6N200P3HV
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):2000V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4 欧姆 @ 3A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):143nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3700pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):960W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-247PLUS-HV
  • IXTX6N200P3HV优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
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