产品参考图片
- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3 整包
- 技术参数：IGBT
- 丰富的IXYS公司产品，IXYS芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IXXQ30N60B3M 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXXQ30N60B3M
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：XPT?, GenX3?
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：33A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：140A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，24A
- 功率-最大值：90W
- 开关能量：550μJ（开），800μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：39nC
- 25°C时Td（开/关）值：23ns/150ns
- 测试条件：400V，24A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：36ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3 整包
- IXXQ30N60B3M优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
