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  • 制造厂商:IXYS
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 技术参数:DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
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IXYA30N120A4HV 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IXYA30N120A4HV
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:GenX4?, XPT?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):106A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):184A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,25A
  • 功率-最大值:500W
  • 开关能量:4mJ(开),3.4mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:57nC
  • 25°C时Td(开/关)值:15ns/235ns
  • 测试条件:960V,25A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):42ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • IXYA30N120A4HV优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
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