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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
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IXYH30N170C 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXYH30N170C
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：XPT?
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：1700V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：108A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：255A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.7V @ 15V，30A
- 功率-最大值：937W
- 开关能量：5.9mJ（开），3.3mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：140nC
- 25°C时Td（开/关）值：28ns/150ns
- 测试条件：850V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- IXYH30N170C优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
