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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
- 技术参数：IGBT 650V 18A 50W TO220
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IXYP20N65C3D1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXYP20N65C3D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 650V 18A 50W TO220
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：GenX3?, XPT?
- 零件状态：有源
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：105A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A
- 功率-最大值：200W
- 开关能量：430μJ（开），350μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：30nC
- 25°C时Td（开/关）值：19ns/80ns
- 测试条件：400V，20A，20 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：135ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-220-3
- IXYP20N65C3D1优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
