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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：E10
- 技术参数：IGBT MODULE 3300V 1200A E10
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MIO1200-33E10 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MIO1200-33E10
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT MODULE 3300V 1200A E10
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：NPT
- 配置：单开关
- 电压-集射极击穿（最大值）：3300V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：1200A
- 功率-最大值：-
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.1V @ 15V，1200A
- 电流-集电极截止（最大值）：120mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：187nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：E10
- MIO1200-33E10优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
