- 制造厂商:IXYS
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:24-PowerSMD,21 引线
- 技术参数:DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
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MMIX1Y82N120C3H1 技术参数详情:
- 制造商产品型号:MMIX1Y82N120C3H1
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- IGBT类型:PT
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):78A
- 电流-集电极脉冲(Icm):320A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.4V @ 15V,82A
- 功率-最大值:320W
- 开关能量:4.95mJ(开),2.78mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:215nC
- 25°C时Td(开/关)值:29ns/192ns
- 测试条件:600V,80A,2 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):78ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:24-PowerSMD,21 引线
- MMIX1Y82N120C3H1优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。