产品参考图片
- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：E1
- 技术参数：IGBT MODULE 1200V 51A 210W E1
- 丰富的IXYS公司产品，IXYS芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
MWI50-12E6K 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MWI50-12E6K
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 51A 210W E1
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 配置：三相反相器
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：51A
- 功率-最大值：210W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，35A
- 电流-集电极截止（最大值）：300μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：2nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：E1
- MWI50-12E6K优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
