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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：V2-PAK
- 技术参数：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
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VWM200-01P 技术参数详情：
- 制造商产品型号：VWM200-01P
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：6 N-沟道（3 相桥）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：210A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 100A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：430nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：V2-PAK
- VWM200-01P优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
