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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:二极管 - 射频,封装:0402(1006 公制)
- 技术参数:RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19
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BAR9002ELE6327XTMA1 技术参数详情:
- 制造商产品型号:BAR9002ELE6327XTMA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19
- 系列:二极管 - 射频
- 零件状态:有源
- 二极管类型:PIN - 单
- 电压-峰值反向(最大值):80V
- 电流-最大值:100mA
- 不同?Vr、F时电容:0.35pF @ 1V,1MHz
- 不同?If、F时电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz
- 功率耗散(最大值):250mW
- 工作温度:150°C(TJ)
- 封装:0402(1006 公制)
- BAR9002ELE6327XTMA1优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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