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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：阵列﹐预偏压式晶体管，PG-SOT363-6
- 技术参数：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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BCR 08PN H6327 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BCR 08PN H6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- 系列：-
- 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：2.2k
- 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：47k
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：-
- 频率 - 跃迁：170MHz
- 功率 - 最大值：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：PG-SOT363-6
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