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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：RF场效应管，PG-SOT363-6
- 技术参数：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
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BG 3123 H6327 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BG 3123 H6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
- 系列：-
- 晶体管类型：2 N-通道（双）
- 频率：800MHz
- 增益：25dB
- 电压 - 测试：5V
- 额定电流：25mA，20mA
- 噪声系数：1.8dB
- 电流 - 测试：14mA
- 功率 - 输出：-
- 电压 - 额定：8V
- 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：PG-SOT363-6
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