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Infineon
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  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:单端场效应管,MG-WDSON-2
  • 技术参数:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
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BSB013NE2LXI 技术参数详情:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSB013NE2LXI
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):36A(Ta),163A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):62nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4400pF @ 12V
  • 功率 - 最大值:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:3-WDSON
  • 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M
  • BSB013NE2LXI优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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