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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
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BSC082N10LS G 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSC082N10LS G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
- 系列：OptiMOS?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.8A（Ta），100A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 110μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：104nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7400pF @ 50V
- 功率 - 最大值：156W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：PG-TDSON-8
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