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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
- 技术参数：TRENCH 40<-<100V
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BSC112N06LDATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BSC112N06LDATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：TRENCH 40<-<100V
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：OptiMOS?-T2
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.2 毫欧 @ 17A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 28μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4020pF @ 30V
- 功率-最大值：65W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerVDFN
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