BSD223P 技术参数详情:
- 制造商产品型号:BSD223P
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:OptiMOS?
- 零件状态:停产
- FET类型:2 个 P 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):390mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.62nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):56pF @ 15V
- 功率-最大值:250mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
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