
- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:场效应管阵列,PG-SOT363-6
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
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BSD223P H6327 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:BSD223P H6327
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
- 系列:OptiMOS?
- FET 类型:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):390mA
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.62nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):56pF @ 15V
- 功率 - 最大值:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:PG-SOT363-6
- BSD223P H6327优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。

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