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Infineon
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  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:场效应管阵列,PG-TSOP6-6
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
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BSL306N L6327 技术参数详情:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSL306N L6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.6nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):275pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:PG-TSOP6-6
  • BSL306N L6327优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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