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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
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BSO203PNTMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BSO203PNTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：OptiMOS?
- 零件状态：停产
- FET类型：2 个 P 沟道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.2A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 8.2A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 100μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：48.6nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2242pF @ 15V
- 功率-最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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