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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：场效应管阵列，PG-DSO-8
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
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BSO207P H 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSO207P H
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8
- 系列：OptiMOS?
- FET 类型：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 5.7A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 44μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1650pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：PG-DSO-8
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