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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-SOT223-4
- 技术参数：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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BSP149 L6327 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSP149 L6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列：SIPMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：耗尽模式
- 漏源极电压 (Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：660mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.8 欧姆 @ 660mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 400μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：430pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：PG-SOT223-4
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