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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-SOT23-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
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BSS159N L6327 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：BSS159N L6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列：SIPMOS
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：耗尽模式
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：230mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 160mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 26μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.9nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：44pF @ 25V
- 功率 - 最大值：360mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：PG-SOT23-3
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