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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:单端场效应管,PG-TSDSON-8
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
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BSZ180P03NS3E G 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:BSZ180P03NS3E G
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
- 系列:OptiMOS?
- FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Ta),39.5A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 48μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2220pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- BSZ180P03NS3E G优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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