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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模块
- 技术参数：MOSFET MODULE 1200V
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DF11MR12W1M1PB11BPSA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DF11MR12W1M1PB11BPSA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET MODULE 1200V
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：EasyPACK?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tj）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22.5 毫欧 @ 50A，15V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 20mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：124nC @ 15V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3680pF @ 800V
- 功率-最大值：20mW
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
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