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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：模块
- 技术参数：IGBT MOD 1200V 150A 790W
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DF150R12RT4HOSA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：DF150R12RT4HOSA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：IGBT MOD 1200V 150A 790W
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 配置：单斩波器
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
- 功率-最大值：790W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，150A
- 电流-集电极截止（最大值）：1mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：9.3nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
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