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FF2MR12KM1HOSA1 图片
  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:模块
  • 技术参数:MEDIUM POWER 62MM
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FF2MR12KM1HOSA1 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FF2MR12KM1HOSA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MEDIUM POWER 62MM
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:CoolSiC?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 个 N 通道(半桥)
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):500A(Tc)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.13 毫欧 @ 500A,15V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.15V @ 224mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):1340nC @ 15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):39700pF @ 800V
  • 功率-最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
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