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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:IGBT模块,模块
- 技术参数:IGBT 650V 250A 790W
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FS200R07A1E3 技术参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:FS200R07A1E3
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:IGBT 650V 250A 790W
- 系列:-
- IGBT 类型:-
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):250A
- 功率 - 最大值:790W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 15V,200A
- 电流 - 集电极截止(最大值):1mA
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):13nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:模块
- FS200R07A1E3优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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