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- 制造厂商:英飞凌
- 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:模块
- 技术参数:IGBT MOD 1200V 320A 1100W
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FS225R12KE4BOSA1 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FS225R12KE4BOSA1
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:IGBT MOD 1200V 320A 1100W
- 系列:晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态:不適用於新設計
- IGBT类型:沟槽型场截止
- 配置:全桥
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):320A
- 功率-最大值:1100W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,225A
- 电流-集电极截止(最大值):3mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies):13nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C
- 安装类型:底座安装
- 封装:模块
- FS225R12KE4BOSA1优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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