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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 技术参数：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
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IGB01N120H2ATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IGB01N120H2ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：最後搶購
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：3.2A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：3.5A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，1A
- 功率-最大值：28W
- 开关能量：140μJ
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：8.6nC
- 25°C时Td（开/关）值：13ns/370ns
- 测试条件：800V，1A，241 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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