产品参考图片
- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 技术参数：IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
- 丰富的英飞凌公司产品，英飞凌芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IKB30N65ES5ATMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IKB30N65ES5ATMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 62A D2PAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：TrenchStop? 5
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：62A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，30A
- 功率-最大值：188W
- 开关能量：560μJ（开），320μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：70nC
- 25°C时Td（开/关）值：17ns/124ns
- 测试条件：400V，30A，13 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：75ns
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- IKB30N65ES5ATMA1优势代理货源，国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
芯片采购网专注整合国内外授权Infineon代理的现货资源，轻松采购IC芯片，是国内专业的芯片采购平台