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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-4
- 技术参数：IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
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IKZ75N65EH5XKSA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IKZ75N65EH5XKSA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：TrenchStop? 5
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：90A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：300A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
- 功率-最大值：395W
- 开关能量：680μJ（开），430μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：166nC
- 25°C时Td（开/关）值：26ns/347ns
- 测试条件：400V，37.5A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：58ns
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-4
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