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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-7
- 技术参数：SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
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IMBF170R450M1XTMA1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IMBF170R450M1XTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：CoolSiC?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）：1700V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.8A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V，15V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：450毫欧 @ 2A，15V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 2.5mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 12V
- Vgs（最大值）：+20V，-10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：610pF @ 1000V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：107W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PG-TO263-7
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