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  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-TO263-7-12
  • 技术参数:TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
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IMBG120R060M1HXTMA1 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IMBG120R060M1HXTMA1
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:CoolSiC?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:SiC(碳化硅结晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):1.2kV
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):36A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):83 毫欧 @ 13A,18V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.7V @ 5.6mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):34nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+18V,-15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1.145nF @ 800V
  • FET功能:标准
  • 功率耗散(最大值):181W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:PG-TO263-7-12
  • IMBG120R060M1HXTMA1优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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