产品参考图片
- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO220
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
- 丰富的英飞凌公司产品，英飞凌芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IPA65R190E6 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPA65R190E6
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
- 系列：CoolMOS?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：650V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20.2A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 7.3A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：73nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1620pF @ 100V
- 功率 - 最大值：34W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：PG-TO220 整包
- IPA65R190E6优势代理货源，国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
芯片采购网专注整合国内外授权Infineon代理的现货资源，轻松采购IC芯片，是国内专业的芯片采购平台