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- 制造厂商：英飞凌
- 类别封装：单端场效应管，PG-TO263-2
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
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IPB081N06L3 G 技术参数详情：
- Infineon英飞凌公司完整型号：IPB081N06L3 G
- 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
- 系列：OptiMOS?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.1 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 34μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4900pF @ 30V
- 功率 - 最大值：79W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：PG-TO263-2
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