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Infineon
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IPB180N03S4L-01 图片
  • 制造厂商:英飞凌
  • 类别封装:单端场效应管,PG-TO263-7-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
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IPB180N03S4L-01 技术参数详情:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB180N03S4L-01
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):180A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.05 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 140μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):239nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):17600pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:188W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-7-3
  • IPB180N03S4L-01优势代理货源,国内领先的英飞凌芯片采购服务平台。
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